Proprietà materiali e vantaggi degli obiettivi di tungsteno
Punto di fusione ultra-alto e resistenza ad alta temperatura
Il tungsteno ha un punto di fusione fino a 3422 gradi, rendendolo uno dei metalli con il più alto punto di fusione in natura. Ciò consente di mantenere una struttura stabile in ambienti ad alta temperatura (come lo sputtering plasmatico nella produzione di semiconduttori), prevenendo ilTarget di tungstenodall'ammorbidimento o dalla volatilizzante dovuta al calore e influisce sull'uniformità del film.
Eccellente conducibilità elettrica e termica
Il tungsteno ha un'elevata mobilità degli elettroni ed è adatto come materiale di strato conduttivo (come gli elettrodi di interconnessione CHIP); Allo stesso tempo, l'elevata conduttività termica può dissipare rapidamente il calore generato durante lo sputtering ed estendere la durata di servizio del bersaglio.
Resistenza alla corrosione e all'usura
Il tungsteno ha una forte resistenza ad ambienti corrosivi come acidi e alcali e ha un'elevata durezza (durezza MOHS 7.5). È adatto per l'uso in ambienti di sputtering con alta intensità di bombardamento a ioni per ridurre la perdita di materiale target.
Requisiti di purezza elevata
La purezza degli obiettivi di tungsteno di livello semiconduttore di solito deve raggiungere oltre il 99,95%, o anche il 99,999% (grado 5N) per evitare impurità di contaminazione del film depositato e influire sulle prestazioni del dispositivo (come cortometraggi, perdite, ecc.).
Specifica di base e parametri di purezza del target di tungsteno
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Nome articolo |
Target di tungsteno |
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Misurare |
Personalizzato |
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Dimensione della tolleranza |
+\/-0. 2mm |
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Certificati |
ISO9001: 2008, SGS, il terzo rapporto di test |
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Tecniche |
Vim\/hp |
Immagini relative al target di tungsteno
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